普冉成功，东微敲定......一批半导体企业科创板IPO进展披露（普冉半导体 科创板）

2021年开年，资本市场依然是国内半导体市场最重要的话题之一，上周，CPU厂商海光信息、IGBT厂商比亚迪半导体、FPGA厂商安路科技、EDA厂商概伦电子、芯片测试厂商伟测半导体等均披露了IPO辅导进展，而这周，又有一批集成电路企业的科创板上市进展被披露。

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普冉半导体成功闯关

1月26日，科创板上市委2021年第10次审议会议结果显示，普冉半导体（上海）股份有限公司（下称普冉半导体）（首发）符合发行条件、上市条件和信息披露要求。这意味着，存储器芯片厂商普冉半导体成功闯关科创板，即将登陆资本市场的舞台。

资料显示，普冉半导体成立于2016年，主营业务是非易失性存储器芯片的设计与销售，主要产品包括NOR Flash和EEPROM两大类非易失性存储器芯片，这两大类芯片可广泛应用于手机、计算机、网络通信、家电、工业控制、汽车电子、可穿戴设备和物联网等领域。

据悉，在NOR Flash业务方面，普冉半导体已经和汇顶科技、恒玄科技、杰理科技、中科蓝讯等主控原厂，深天马、合力泰、华星光电等手机屏幕厂商建立了稳定的业务合作关系，产品应用于三星、OPPO、vivo、华为、小米、联想、惠普等品牌厂商。

在EEPROM业务方面，普冉半导体已经和舜宇、欧菲光、丘钛、信利、合力泰、三星电机、三赢兴、盛泰等行业内领先的手机摄像头模组厂商以及闻泰科技、华勤通讯、龙旗科技等ODM厂商形成了稳定的合作关系，产品广泛应用于OPPO、vivo、华为、小米、美的等知名厂商的终端产品中。

本次普冉半导体科创板上市拟募资3.45亿元，扣除发行费用后将主要用于闪存芯片升级研发及产业化项目、EEPROM芯片升级研发及产业化项目、总部基地及前沿技术研发项目三大项目的建设。

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东微半导体确定科创板

1月25日，江苏证监局披露了苏州东微半导体股份有限公司（下称东微半导体）的辅导中期备案报告，报告显示，东微半导体的辅导备案日期为2020年12月18日，公司自此进入首次公开发行股票并在科创板上市的辅导期，辅导机构为中金公司。

资料显示，东微半导体成立于2008年，是一家国产功率半导体厂商，在作为半导体核心技术的器件领域有深厚的技术积累，专注半导体器件技术创新，拥有多项半导体器件核心专利。其产品包括高压GreenMOS系列、中低压SGTMOS系列以及IGBT，应用领域涵盖快速充电器、充电桩应用、开关电源、直流电机驱动、光伏逆变器等。

2016年东微半导体自主研发的新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片成功量产，打破国外厂商垄断。作为国内高性能功率半导体领域的重要厂商，东微半导体不仅获得了华为的青睐，同时大基金和中芯国际亦通过旗下上海聚源聚芯间接投资了该公司。

2020年7月，东微半导体获得华为旗下投资机构哈勃科技投资入股，企查查信息显示，目前，哈勃科技持有东微半导体7%的股份，是该公司第六大股东。而上海聚源聚芯早在2017年便已入股东微半导体，目前是第四大股东，持股10.5682%。据悉，国家大基金是上海聚源聚芯的第一大股东，持股45.091%，而中芯国际又通过中芯晶圆（上海）间接持有上海聚源聚芯第二大股东中芯晶圆（宁波）股份。

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博蓝特半导体、中车电气已问询

上交所信息显示，浙江博蓝特半导体科技股份有限公司（以下简称博蓝特半导体）和株洲中车时代电气股份有限公司（以下简称中车时代）的IPO信息分别与1月25日和1月26日更新为已问询状态。

资料显示，博蓝特半导体成立于2012年，深耕半导体材料领域多年，主要从事新型半导体材料、器件及相关设备的研发和应用，着重于图形化蓝宝石、碳化硅等半导体衬底、器件的研发、生产、销售，以及半导体制程设备的升级改造和销售，目前主要产品包括PSS、碳化硅衬底以及光刻机改造设备。

博蓝特半导体此次拟募集资金5.05亿元，扣除发行费用后，用于主营业务相关项目的投入，包括年产300万片Mini/Micro-LED芯片专用图形化蓝宝石衬底项目、年产540万片蓝宝石衬底项目、以及第三代半导体研发中心建设项目。

博蓝特半导体表示，公司成立以来，致力于半导体衬底材料研发、生产、销售。第三代半导体研发中心建设项目，将为公司主营业务发展提供新产品研发的技术支撑，具体包括第三代半导体产品碳化硅、GaN衬底、外延制备、研发为代表的宽禁带半导体材料，以及深紫外LED芯片；高亮度蓝、绿光LED芯片设计及研发，通过提升公司研发水平，延伸研发产业链相关产品。

中车电气2005年9月，并于2006年在香港联交所上市，主要从事轨道交通装备产品的研发、设计、制造、销售并提供相关服务，同时积极布局功率半导体器件等领域。在功率半导体器件业务方面，中车电气一直以来致力于功率半导体技术的自主研究，目前已成长为我国功率半导体领域集器件开发、生产与应用于一体的代表企业，主要产品覆盖双极器件、IGBT和SiC等。

据了解，中车电气建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术。该公司生产的全系列高可靠性IGBT产品打破了轨道交通核心器件和特高压输电工程关键器件由国外企业垄断的局面，目前正在解决我国新能源汽车核心器件自主化问题。

此外，中车电气的高性能 SiC SBD、MOSFET电力电子器件产品研制与应用验证项目已通过科技成果鉴定，实现了高性能SiC SBD五个代表品种和SiC MOSFET三个代表品种，部分产品已得到应用。

中车电气时代此次拟募集资金77.67亿元，拟将本次发行所募集资金扣除发行费用后投资于新型传感器研发应用项目、新产业先进技术研发应用项目等项目。